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摩尔定律、EUV光刻和线性电机之间有什么关系

文章出处:同茂电子人气: 发布时间:2019-12-31 9:00:01

摩尔定律、EUV光刻和线性电机之间有什么关系。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出来的其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。换言之,每一美元所能买到的电脑性能,将每隔18-24个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

半个多世纪以来,半导体行业按照摩尔定律不断发展,由此驱动了一系列的科技创新。在认识EUV光刻前,让我们先来认识一下光刻技术。

在芯片加工过程中,光刻是其中一个重要的步骤,甚至被认为是集成电路制造中较为关键的步骤,决定着制造工艺的先进程度。因为光刻是决定芯片能否按照摩尔定律继续发展的一项重要技术,如果没有光刻技术的进步,芯片制造工艺就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

线性电机小编了解,随着芯片制造工艺由微米级向纳米级发展,光刻机所采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436纳米、365纳米,进入深紫外(DUV)区间的248纳米、193纳米。EUV光刻所用的光波,是波长为13.5纳米的极紫外光。相比当前主流光刻机所采用的193纳米光源,EUV光源的波长约为前者的1/14,这使其能在硅片上出更细的痕迹。

为满足摩尔定律的要求,技术人员一直在研究、开发新的芯片制造技术,来缩小线宽并增大芯片的容量。由于光源更细,EUV光刻技术可以满足22纳米及更小线宽的集成电路生产要求。摩尔定律不只对性能提出要求,另一个要求是成本的降低。EUV光刻技术恰好能符合这个要求。

线性电机EUV光刻当中重要的支持者,因为光刻机的工件台在扫描曝光过程中要求纳米级的定位精度,采用长行程线性电机粗动加洛仑兹电机高精密微动补偿的6自由度复合运动系统能满足要求。为减小微动电机的运动范围和加速度, 一种开闭环D型迭代学习控制律还提高了线性电机的轨迹跟踪精度,这些技术的结合为光刻机带来了巨大的好处。因此线性电机对光刻机是非常重要。

小编表示,从上可以看出摩尔定律、EUV光刻和线性电机有着相互联系,紧密的关系。

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