摩尔定律、EUV光刻和线性电机之间有什么关系。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出来的其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

半个多世纪以来，半导体行业按照摩尔定律不断发展，由此驱动了一系列的科技创新。在认识EUV光刻前，让我们先来认识一下光刻技术。

在芯片加工过程中，光刻是其中一个重要的步骤，甚至被认为是集成电路制造中较为关键的步骤，决定着制造工艺的先进程度。因为光刻是决定芯片能否按照摩尔定律继续发展的一项重要技术，如果没有光刻技术的进步，芯片制造工艺就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

据线性电机小编了解，随着芯片制造工艺由微米级向纳米级发展，光刻机所采用的光波波长也从近紫外（NUV）区间的436纳米、365纳米，进入深紫外（DUV）区间的248纳米、193纳米。EUV光刻所用的光波，是波长为13.5纳米的极紫外光。相比当前主流光刻机所采用的193纳米光源，EUV光源的波长约为前者的1/14，这使其能在硅片上“刻”出更细的痕迹。

为满足摩尔定律的要求，技术人员一直在研究、开发新的芯片制造技术，来缩小线宽并增大芯片的容量。由于光源更细，EUV光刻技术可以满足22纳米及更小线宽的集成电路生产要求。摩尔定律不只对性能提出要求，另一个要求是成本的降低。EUV光刻技术恰好能符合这个要求。

线性电机是EUV光刻当中重要的支持者，因为光刻机的工件台在扫描曝光过程中要求纳米级的定位精度,采用长行程线性电机粗动加洛仑兹电机高精密微动补偿的6自由度复合运动系统能满足要求。为减小微动电机的运动范围和加速度, 一种开闭环D型迭代学习控制律还提高了线性电机的轨迹跟踪精度，这些技术的结合为光刻机带来了巨大的好处。因此线性电机对光刻机是非常重要。

小编表示，从上可以看出摩尔定律、EUV光刻和线性电机有着相互联系，紧密的关系。

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